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科技部徵求111年度「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」,校內截止日111年1月24日(一)中午12點截止。

發佈日期 : 2021-11-26 最後更新 : 2021-11-26

 

一、科技部徵求111年度「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」校內截止日為111124()中午12點截止

二、本專案目標為因應在電源、混合動力與電動車、B5G/6G高頻元件/系統等應用,將以國內矽基半導體和光電產業為基礎,擴展次世代化合物半導體領域,本專案計畫的研究項目分成兩個分項,分項內容如下:(1) B5G/6G高頻通訊關鍵半導體技術: 專注於氮化鎵(GaN)、磷化銦(InP)於超高速的元件技術開發;(2)下世代寬能隙高壓功率半導體技術: 專注於氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、氧化鎵(Ga2O3)及鑽石(Diamond)等寬能隙材料。(請參閱徵求公告)

三、申請方式:校內截止日為111124()中午12截止,申請人依規定於期限內至該部網站線上製作計畫申請書。「專題類-隨到隨審計畫」,計畫類別點選「一般策略專案計畫」;研究型別請點選「整合型」;計畫歸屬請勾選「工程司」;學門代碼請勾選「E9870-次世代化合物半導體前瞻研發計畫」。製作完成後請通知系所承辦人,請系所承辦人至科技部「專題計畫線上申請彙整系統」。確認申請人職稱與申請資格皆符合條款,無誤後將案件點選成「已確認」後通知本組發函送件。

四、本計畫為科技部重點國合計畫之一,因此國際合作的規劃為計畫評選的重要項目。計畫申請須具體提出與國際化合物半導體團隊的合作規劃,及提升團隊在國際影響力的目標與策略方法,並說明積極參與國際相關活動之規劃。申請人於線上申請時,請於「基本資料填寫」頁面將「國際合作研究」的選項勾選,並請填寫國際合作研究計畫資料表(申請書表IM01-IM03),國際合作所需經費應分列在各項經費表格中,並於說明欄或備註欄註記「國合計畫」,請參考附件。

五、相關聯絡人:

  • 召集人:國立清華大學電子工程研究所徐碩鴻教授,(03) 5731278 shhsu@ee.nthu.edu.tw
  • 執行長:國立陽明交通大學國際半導體產業學院吳添立助理教授, (03) 5712121 #59442tlwu@nycu.edu.tw
  • 科技部工程司承辦人:黃士育副研究員,(02)2737-7374syuhuang@most.gov.tw
  • 有關計畫申請系統操作問題,請洽資訊系統服務專線,(02)2737-759075917592

六、轉知教育部有關研究倫理審查之公告,請主持人務必遵守,網址:http://rec.site.nthu.edu.tw/p/406-1233-202655,r3334.php?Lang=zh-tw

分類: 計管
編輯者: 羅淑婷
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